它是什么
在光刻工艺中，晶圆表面会涂上一层对光敏感的聚合物材料——光刻胶（Photoresist）。
曝光后，被光照区域（或未被光照区域，取决于正负胶）的化学性质发生改变，在显影液中的溶解度不同，从而把掩膜版上的图形"复制"到晶圆上。
为什么关键
光刻胶要同时满足几个苛刻要求，而这些要求往往相互冲突：
一、分辨率：能分辨的最小特征尺寸。要做出更细的线路，光刻胶必须能"记录"更精细的图形。
二、灵敏度：需要多长的曝光时间。灵敏度低，产率低（每片晶圆曝光时间长）。
三、抗刻蚀性（Etch Resistance）：光刻胶只覆盖在需要保护的区域，随后的刻蚀工艺会去除未被保护的部分。如果光刻胶本身被刻蚀得太快，就无法保护下面的材料。
四、粘附性：要牢固附着在晶圆表面，否则图形会脱落或变形。
五、工艺窗口：显影时间、温度、曝光剂量的容差范围要足够宽，否则良率难以控制。
这些指标之间存在权衡，配方设计极其复杂。
按曝光波长分类
光刻胶需要与光源波长匹配：
- g-line/i-line 光刻胶：对应 436nm/365nm 汞灯光源，用于成熟制程；
- KrF 光刻胶：对应 248nm；
- ArF 光刻胶：对应 193nm，是目前先进制程的主力；
- ArF 浸没式光刻胶：用于 193nm 浸没式光刻（需考虑与水的相互作用）；
- EUV 光刻胶：对应 13.5nm，技术难度最高。
EUV 光刻胶的特殊挑战
EUV 光子能量极高，一个 EUV 光子的能量是 193nm 光子的约 14 倍。这带来几个问题：
一、光子数量少。 同样剂量的曝光能量，EUV 的光子数要少一个数量级。光子数少意味着随机效应（Stochastics）显著——曝光区域的随机涨落可能导致线条断裂或桥接缺陷。
二、吸收机制不同。 EUV 光的吸收涉及复杂的二次电子产生过程，与传统光刻胶的化学反应机制不同。
三、线边缘粗糙度（LER）。 图形边缘的粗糙度，在几纳米尺度上会显著影响器件性能。
这些挑战使 EUV 光刻胶成为半导体材料中最难攻克的环节之一。
产业格局
据前文提到的公开资料，应用于半导体领域的 i-line 光刻胶及 KrF 光刻配套 Barc 材料光刻胶，均已在国内实现量产。
这属于成熟制程的配套环节。而更高端的 ArF、EUV 光刻胶，技术门槛和市场集中度都更高。
配套材料
光刻工艺还需要：
- Barc（底部抗反射涂层）：减少衬底反射造成的图形畸变；
- 显影液、剥离液、冲洗液；
- 光刻胶配套的多层材料体系（用于多重曝光工艺）。
一个特点
光刻胶市场规模不大（相对于整个半导体产业），但战略地位极高——没有它，光刻机再先进也做不出芯片。
而且它有保质期，且有较强的客户粘性（更换光刻胶需要重新验证整条工艺线，成本极高、周期极长）。
说明：本文为半导体材料的公开知识整理。