进展

2025 年，国产 28 纳米浸没式 ArF 深紫外前道光刻机成功推出并顺利通过验收。2026 年初，该设备完成全流程工艺验证，晶圆流片良率稳定超九成。科技部部长在全国科技工作会议上官宣：国产 28 纳米浸没式光刻机已通过全流程验证，进入量产交付阶段。

技术参数

公开报道披露的参数包括：

  • 采用 193nm ArF 浸没式光刻技术；
  • 套刻精度和分辨率达到设计指标；
  • 兼容 28 纳米至 14 纳米制程；
  • 性能与 ASML 同级别机型基本持平；
  • 成本较 ASML 同类产品低 30%–40%；
  • 核心部件国产化率突破 85%–90%。

为什么是 28 纳米

28 纳米是半导体产业里一个特殊节点：它是平面工艺与 FinFET 工艺的分界线，也是所谓"成熟制程"里最有价值的一档。

成熟制程并非落后产能的代名词。汽车电子、功率器件、MCU、电源管理芯片、射频前端、显示驱动芯片，绝大多数都跑在 28 纳米及以上的节点上。业内普遍认为，成熟制程芯片占据了整个芯片市场的大半壁江山。

浸没式是什么意思

光刻的分辨率与曝光波长成正比、与数值孔径成反比。在 ArF 光源（193nm）之后，波长难以再缩短，工程师便在镜头与硅片之间充入高折射率的水（折射率约 1.44），等效缩短波长，从而提升分辨率——这就是"浸没式"。它让 193nm 光源得以支撑到 28 纳米甚至更先进节点。

信息来源：央广网《中国经济半年报》（2026 年 7 月 31 日）及所引中研网报道。